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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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中文ê (E T)
开始
WRITE ERASE
命令序列
(注1,2 )
数据轮询以删除
从银行系统
嵌入式
抹去
算法
进行中
No
数据= FFH ?
是的
擦除完成
注意事项:
1.
SEE
节目
命令
图4中。
擦除操作
擦除暂停/删除恢复命令
擦除挂起命令, B0H ,允许系统中断的扇区擦除操作
然后读取数据,或程序数据,没有被选择为擦除的任何扇区。这个化合物
命令是有效仅在扇区擦除操作,包括50微秒的超时时间
该部门在擦除命令序列。如果令状擦除挂起命令被忽略
10芯片擦除操作或嵌入式程序算法中。
当擦除挂起命令扇区擦除操作期间写入,该装置
需要一个典型的5
微秒(最大
20
μs)
暂停擦除操作。然而,当
擦除挂起命令在扇区擦除时间写出来,该设备被立即
ately结束超时周期和暂停的擦除操作。
经过擦除操作被暂停,设备进入擦除挂起读取模式。该
系统可以读取的数据或程序数据到未被选择用于擦除的任何扇区。 ( DE-的
删除,挂起
选择删除所有部门。 )在阅读中的任何地址
删除悬浮部门产生的DQ7 - DQ0状态信息。该系统可以使用
DQ7或DQ6和DQ2在一起,来确定一个扇区被积极地擦除或擦除可持
挂起。请参阅有关这些状态位信息写入工作状态部分。
后一个擦除暂停程序操作完成后,该装置返回到
擦除暂停阅读的模式。该系统可确定该程序操作的状态
用DQ7或DQ6状态位,正如在标准字编程操作。请参阅
了解更多信息。
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S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,