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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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化。如果发生这种情况,该芯片擦除命令序列应该重新开始,一旦设备
已经返回到读出数组数据,以确保数据的完整性。
示的算法来执行擦除操作。
需要注意的是担保
硅业,自选和CFI功能不可用时,擦除操作
化的进步。
参考下表
参数,并
部分时序图。
扇区擦除命令序列
扇区擦除是六总线周期的操作。扇区擦除命令序列被启动
写入两个解锁周期,接着一个建立命令。另外两个解锁周期
记,并且然后随后的扇区的地址被擦除,扇区擦除
命令。
示的地址和数据要求一
ments为扇区擦除命令序列。
该设备不
所需要的系统来擦除之前进行预编程。嵌入式擦除
算法自动程序,并检验整个存储器为全零的数据图案
之前的电擦除。该系统不要求中提供的任何控制或定时
这些操作。
该命令序列写入后,扇区擦除超时50微秒的发生。在
超时周期,附加的扇区地址和扇区擦除命令可以被写入。
加载扇区擦除缓冲器可以以任何顺序来完成,并且扇区的数量可
从一个部门到各部门。这些附加的周期之间的时间必须小于
50微秒,否则删除就可以开始。任何扇区擦除地址和命令跟随
超过超时可能会或可能不会被接受。所以建议处理器中断
在这段时间内,以确保所有的命令被接受被禁用。该中断可
重新启用的最后一个扇区擦除命令写入后。
任何命令比其他见第
器擦除或擦除在超时时间暂停装置复位到读
模式。
请注意,安全硅部门,自选和CFI功能都非
当擦除操作中是可以取得进展。
该系统必须重写
命令序列和任何额外的地址和命令。
该系统可以监测DQ3 ,以确定该扇区擦除定时器已超时(见
超时开始从最后WE#上升沿
脉中的命令序列。
当嵌入式擦除算法完成后,设备返回读取阵列数据
和地址不再锁定。该系统可确定擦除的状态OP-
关合作通过读DQ7 , DQ6 ,或DQ2在擦除扇区。指的是写操作
状态部分有关这些状态位的信息。
一旦该扇区擦除操作已经开始,只有擦除挂起命令是有效的。所有
其它命令被忽略。但是,请注意,
硬件复位
立即终止
擦除操作。如果发生这种情况,扇区擦除命令序列应该重新开始
一旦设备已返回读取阵列数据,以确保数据的完整性。
示的算法来执行擦除操作。参考下表
为参数,并
时序
图。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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