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    S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL128N11FAIV10图片预览
    型号： S29GL128N11FAIV10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 100 页 / 2678 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第66页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第67页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第68页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第69页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第71页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第72页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第73页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第74页  
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    中文ê （E T）
    开始
    阅读DQ15 - DQ0
    地址= VA
    DQ7 =数据？
    是的
    No
    No
    DQ5 = 1
    是的
    阅读DQ15 - DQ0
    地址= VA
    DQ7 =数据？
    是的
    No
    失败
    通
    注意事项：
    1. VA =有效的地址进行编程。在一个扇区擦除操作，有效
    地址是扇区内的任何扇区地址被删除。在芯片擦除，一
    有效地址是任何非保护扇区地址。
    2. DQ7应即使DQ5 =进行复核
    1
    因为DQ7可能改变simulta-
    neously与DQ5 。
    图5.数据＃轮询算法
    RY / BY ＃ ：就绪/忙＃
    该RY / BY ＃是一个专用，开漏输出引脚指示是否嵌入AL-
    gorithm正在进行或完成。该RY / BY ＃状态后，最终的上升沿有效
    WE＃脉冲的命令序列。由于RY / BY ＃是一个漏极开路输出，几个RY / BY ＃
    引脚可以连在一起并联一个上拉电阻到V
    CC
    .
    如果输出为低（忙） ，所述设备被积极地擦除或编程。 （这包括亲
    编程在擦除挂起模式。）如果输出为高（就绪） ，该装置是在所读取的
    模式，待机模式，或在擦除 - 暂停读模式。
    表16 72页
    节目
    输出的RY / BY ＃ 。
    68
    S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
    2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，

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