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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
DQ2 :触发位II
触发位II
上DQ2 ,与DQ6使用时,表示一个特定的扇区是否处于激活
tively擦除(即,嵌入式擦除算法过程中) ,或者是否该扇区
被擦除暂停。触发位II是后最终WE#脉冲的上升沿有效。
命令序列。
当系统读取在那些已经扇区中的地址DQ2切换SE-
lected擦除。 (该系统可以使用两种OE #或CE #控制
读周期。)但是DQ2不能区分该行业是否正在积极擦除或
擦除暂停。 DQ6 ,通过比较,指示该设备是否正在积极擦除,或者是
在擦除挂起,但不能区分哪个部门都选择删除。因此,既
状态位所需的扇区和模式信息。请参阅
to
比较了DQ2和DQ6输出。
显示切换位算法以流程图的形式,并且所述部
解释该算法。也见
款。
显示切换位的时序图。
显示存在差
以图形的形式DQ2和DQ6之间的分配办法。
阅读切换位DQ6 / DQ2
请参阅
对于下面的讨论。当时─
以往的系统最初开始读触发位的状态,就必须读DQ7 - DQ0至少两次
在一排,以确定是否切换位切换。通常,系统会注意到并
在第一次读取之后切换位的值存储。之后的第二读时,系统将
比较触发位与所述第一的新值。如果触发位不切换时,
设备已完成编程或擦除操作。该系统可以读取阵列数据
在下面的读周期DQ7 - DQ0 。
然而,如果在最初的两个读周期中,系统确定该触发位是静止
肘,该系统还应该注意DQ5的值是否为高(见节上
DQ5 ) 。如果是,系统应然后再决定是否切换位切换中,由于
切换位可能已停止切换,就像DQ5去高。如果触发位不再
切换,该设备已成功完成编程或擦除操作。如果它仍是
肘,该装置并没有完成该操作成功,并且系统必须写
reset命令返回读取阵列数据。
剩余的情况是,该系统最初确定该切换位切换
和DQ5一直没有去高。该系统可以继续监视触发位和DQ5
通过连续的读周期,确定该状态为在前面描述的对位
图。另外,也可以选择执行其它系统任务。在这种情况下,系统
必须从在算法开始时,它返回到确定的状态
操作(顶部
DQ5 :超出时间限制
DQ5表示程序是否擦除或写入到缓冲区的时间超过了规定的
内部脉冲计数限制。在这些条件下DQ5产生
1,
这表明亲
克或擦除周期没有成功完成。
该装置可输出
1
在DQ5如果系统尝试编程
1
到了一个位置
预先进行编程以
0.
只有擦除操作可以改变一个
0
回一个
1.
此条件下,该装置停止操作,并在超过该定时的限制时, DQ5亲
得到最
1.
在所有这些情况下,系统必须写入复位命令,将设备返回到读
荷兰国际集团的一个rray (或时代的e-暂停阅读,如果该设备是预V iously在
擦除暂停程序模式) 。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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