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S29GL128P90FAIR10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P90FAIR10图片预览
型号: S29GL128P90FAIR10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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DA TA
书吨
( Prelimi NAR Y)
表6.4
S29GL128P部门&内存地址映射
统一的部门
SIZE
扇形
扇形
范围
SA00
64千字/ 128 KB
128
:
SA127
地址范围( 16位)
0000000H - 000FFFFh
:
07F0000 - 7FFFFF
行业结束地址
笔记
行业起始地址
这个表被冷凝,以显示扇区相关的信息对整个设备在单页上。部门和他们的地址范围
未明确列出的(如SA001 - SA510 )具有形成相同的图案的所有其它扇区的起始地址和结束地址
这种规模的行业。例如,所有128 KB行业都有图案xxx0000h - xxxFFFFh 。
7.设备操作
本节介绍的读取,编程,擦除,握手,并重置闪存器件的功能。
操作是通过写入的特定命令,或与特定的地址和数据模式的序列开始
入命令寄存器(见
通过
命令寄存器本身不
占据任何可寻址存储器位置;更确切地说,它是由存储的命令锁存器,沿
以执行该命令所需要的地址和数据信息。该寄存器的内容作为
输入到内部状态机和状态机的输出决定了设备的功能。写作
不正确的地址和数据值,或将它们写在一个不正确的序列,可以将设备放置在
未知状态,在这种情况下,系统必须拉RESET #引脚为低电平或电源周期设备返回
该装置读出数组数据模式。
7.1
设备操作表
该装置必须设置适当的每个动作。
描述了各自的所需的状态
控制管脚为任何特定的操作。
表7.1
设备操作
地址
A
IN
A
IN
A
IN
X
X
X
DQ8–DQ15
DQ0–DQ7
D
OUT
高-Z
高-Z
高-Z
BYTE # = V
IH
D
OUT
高-Z
高-Z
高-Z
BYTE # = V
IL
DQ8–DQ14
=高阻,
DQ15 = A-1
高-Z
高-Z
高-Z
手术
写(编程/擦除)
加速计划
待机
输出禁用
RESET
CE#
L
L
L
V
CC
±
0.3 V
L
X
OE #
L
H
H
X
H
X
WE#
H
L
L
X
H
X
RESET#
H
H
H
V
CC
±
0.3 V
H
L
WP # / ACC
X
V
HH
H
X
X
传说
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
HH
= 11.5-12.5V ,X =无关,A
IN
=地址,D
IN
=数据输入,D
OUT
=数据输出
笔记
1.地址是AMAX : A0字模式;一
最大
: A- 1字节模式。
2.如果WP # = V
IL
,在最外层的部门仍然是受保护的。如果WP # = V
IH
,最外层的行业是不受保护的。 WP #有一个内部上拉电阻;未连接时,
WP #是V
IH
。出厂时,所有部门都不受保护(担保硅业可以根据订购的版本在出厂时的保护。 )
3. D
IN
或D
OUT
所要求的指令序列,数据查询,或部门保护算法。
2007年11月8日S29GL - P_00_A7
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
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