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    S29GL128P90FAIR10 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL128P90FAIR10图片预览
    型号： S29GL128P90FAIR10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 77 页 / 2742 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL128P90FAIR10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号S29GL128P90FAIR10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号S29GL128P90FAIR10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号S29GL128P90FAIR10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号S29GL128P90FAIR10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号S29GL128P90FAIR10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号S29GL128P90FAIR10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号S29GL128P90FAIR10的Datasheet PDF文件第9页  
    数据
    片
    （预利民AR Y）
    性能特点
    最大读取访问时间（纳秒）
    密度
    电压范围
    (1)
    稳压V
    CC
    128 & 256 MB
    全V
    CC
    VersatileIO V
    IO
    稳压V
    CC
    512 MB
    全V
    CC
    VersatileIO V
    IO
    稳压V
    CC
    1 GB
    全V
    CC
    VersatileIO V
    IO
    随机访问
    时间（t
    加
    )
    90
    100/110
    110
    100
    100
    (2)/110
    110
    (2)/120
    110
    120
    130
    25
    25
    25
    页面访问时间
    (t
    PACC
    )
    CE＃访问时间
    (t
    CE
    )
    90
    100/110
    110
    100
    100
    (2)/110
    110
    (2)/120
    110
    120
    130
    25
    25
    25
    OE ＃访问时间
    (t
    OE
    )
    笔记
    1.访问时间取决于V
    CC
    和V
    IO
    工作范围。
    SEE
    订购信息
    页面了解更多详情。
    稳压V
    CC
    : V
    CC
    = 3.0–3.6 V.
    全V
    CC
    : V
    CC
    = V
    IO
    = 2.7–3.6 V.
    VersatileIO V
    IO
    : V
    IO
    = 1.65–V
    CC
    , V
    CC
    = 3 V.
    2.联系销售代表的可用性。
    电流消耗（典型值）
    随机访问读取（ F = 5兆赫）
    8字的页面读取（ F = 10兆赫）
    编程/擦除
    待机
    30毫安
    1毫安
    50毫安
    1 µA
    节目&擦除时间（典型值）
    单字编程
    有效的写缓冲器编程（V
    CC
    ）每字
    有效的写缓冲器编程（V
    HH
    ）每字
    扇区擦除时间（ 64千字部门）
    60 µs
    15 µs
    13.5 µs
    0.5 s
    4
    S29GL -P的MirrorBit
    ®
    快闪族
    S29GL - P_00_A7 2007年11月8日

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