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S29GL128P90FAIR10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P90FAIR10图片预览
型号: S29GL128P90FAIR10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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数据
(预利民AR Y)
表7.17
写操作状态
状态
标准
模式
节目
暂停
模式
嵌入式程序算法
嵌入式擦除算法
编程
暂停
节目暂停
扇形
非计划
暂停的扇区
擦除暂停
扇形
非擦除
暂停的扇区
DQ7#
DQ7#
DQ7#
切换
切换
切换
0
0
0
1
无切换
0
数据
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
0
1
DQ7
DQ7#
0
DQ6
切换
切换
DQ5
0
0
DQ3
不适用
1
DQ2
无切换
切换
DQ1
0
不适用
RY /
BY #
0
0
1
1
不适用
切换
不适用
1
1
0
0
0
无效(不允许)
数据
抹去
暂停
模式
使用擦除
暂停
擦除挂起计划
(嵌入式编程)
写用于─
卜FF器
退出
笔记
1. DQ5切换到
1
当嵌入式编程,嵌入式擦除或写入到缓冲器运行已超过最大时间限制。
请参阅toDQ5 :
了解更多信息。
2. DQ7和DQ2需要一个有效的地址读取状态信息时。请参阅相应的小节进一步的细节。
3.数据#投票算法应该被用于监控的最后加载的写入缓冲器的地址单元。
4. DQ1切换为1时,该设备已中止写入到缓冲器的操作
7.9
写命令/命令序列
在写操作时,系统必须驱动CE#和WE #到V
IL
和OE #到V
IH
提供当
地址,命令和数据。地址锁存WE#或CE #最后的下降沿,而数据是
锁存WE#或CE # 1号上升沿。擦除操作可以擦除一个扇区,多个部门,或
整个设备。
表示每个扇区占用的地址空间。该装置
地址空间被分成均匀的64KW / 128KB扇区。一个扇区的地址是该组地址的位
需要唯一地选择一个扇区。我
CC2
在“直流特性”表示有功电流规范
写入模式。 “AC特性”包含时序规格表和时序图写
操作。
7.9.1
RY / BY #
该RY / BY #是一个专用,开漏输出引脚,用于指示嵌入式算法是否
进度或完成。该RY / BY #状态后,最终WE#脉冲的命令上升沿有效
序列。由于RY / BY #是一个漏极开路输出,几个RY / BY #引脚可以连在一起,同时用
上拉电阻到V
CC
。此功能允许主系统检测时的数据准备好,只需读取
监测RY / BY #引脚,这是一个专用输出并通过CE# (未OE# )来控制。
7.9.2
硬件复位
在RESET #输入为设备提供复位读取阵列数据的硬件方法。当RESET #
被拉低了至少一个周期T
RP
( RESET #脉冲宽度) ,该装置立即终止任何
正在进行的操作,所有的三态输出,复位配置寄存器,而忽略所有的读/写
命令为RESET#脉冲的持续时间。该器件也复位内部状态机来阅读
阵列的数据。
为了保证数据的完整性程序/那被打断擦除操作必须重新开始,一旦设备
准备好接受另一个命令序列。
当RESET #保持在V
SS
,该器件消耗V
CC
复位电流(I
CC5
) 。如果RESET #保持在V
IL
但在
V
SS
时,待机电流就越大。 RESET#可连接到系统复位电路,它可在
当系统复位系统读取从Flash存储器的引导固件。看
时序图。
40
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
S29GL - P_00_A7 2007年11月8日