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S29GL512P10TFIR10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL512P10TFIR10图片预览
型号: S29GL512P10TFIR10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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数据
(预利民AR Y)
表12.3
S29GL -P内存阵列命令定义, X8
周期
总线周期(注
第一次
ADDR
RA
XXX
AAA
AAA
AAA
AAA
AA
AAA
AAA
SA
AAA
AAA
XXX
XXX
XXX
XXX
AAA
AAA
XXX
XXX
AAA
AAA
数据
RD
F0
AA
AA
AA
AA
98
AA
AA
29
AA
AA
A0
80
80
90
AA
AA
B0
30
AA
AA
555
555
55
55
AAA
AAA
88
90
XX
00
555
555
PA
SA
XXX
XXX
555
555
55
55
PD
30
10
00
55
55
AAA
AAA
80
80
AAA
AAA
AA
AA
555
555
55
55
AAA
SA
10
30
555
AAA
F0
20
555
555
55
55
AAA
SA
A0
25
PA
SA
PD
WC
WBL
PD
WBL
PD
555
555
555
555
55
55
55
55
AAA
AAA
AAA
AAA
90
90
90
90
X00
X02
[SA]X04
X06
01
XX7E
X1C
X1E
第二
ADDR
数据
第三
ADDR
数据
第四
ADDR
数据
科幻FTH
ADDR
数据
第六
ADDR
数据
命令(注)
RESET
自动选择( 8,9 )
制造商ID
器件ID
部门保护验证
安全设备验证
1
1
4
4
4
4
1
4
3
1
3
3
2
2
2
2
6
6
1
1
3
4
CFI查询
节目
写缓冲
程序缓冲区到Flash (确认)
写入到缓冲区中止复位
解锁绕道
进入
节目
扇区擦除
芯片擦除
RESET
芯片擦除
扇区擦除
擦除挂起/暂停计划
删除恢复/恢复计划
安全硅行业进入
安全硅行业退出
传说
X =无关
要读取的RA =地址的存储器中。
在读操作期间从位置RA的读RD =数据。
PA =地址的存储单元进行编程。地址锁存
在WE #或CE #脉冲,以较迟者为准发生的下降沿。
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁存器的上升沿
的WE#或CE #脉冲,先发生者为准。
SA =地址的扇区进行验证(在自动选择模式)或擦除。
地址比特的
最大
-A16唯一选择任何行业。
WBL =写入缓冲器位置。该地址必须是相同的写入内
缓冲区页的PA 。
WC =字数是写缓冲单元的数量来加载减去1 。
11.一种用于DQ7的数据值是“1”的序列,受保护的安全监控系统的硅
对于一个非系列化,未受保护的地区部门和地区的“0” 。看
对于数据和定义。
12.命令有效时,设备已准备好读取阵列数据或设备时,
在自选模式。
13.命令顺序被放置在后返回设备来读取阵列
写至缓冲区中止状态。如果全部命令序列是必需的
重新出中止,而在解锁旁路模式。
之前解锁, Bypass- 14向解锁绕道命令是必需的
程序命令。
15.向解锁绕道复位命令必须返回读取阵列
数据时,该设备处于解锁旁路模式。
16.系统可以读取和非程序擦除/编程暂停
部门,或进入自动选择模式,当在擦除挂起模式。
擦除挂起命令仅在扇区擦除是有效的
操作。
17.擦除恢复/编程恢复命令只有在有效
擦除挂起/编程挂起模式。
18.退出命令返回的设备读取阵列。
笔记
1.见
总线操作的描述。
2.所有值均为十六进制。
3.所有的总线周期是写入周期,除非另有说明。
4.数据位DQ15 - DQ8是不关心的解锁和指挥周期。
5.地址位A
最大
: A16是不关心的解锁和指挥周期,
除非SA或PA必需的。 (A
最大
是最高地址引脚)。
6.读阵列数据时无需解锁或命令周期。
7.复位命令必须返回数组读数据时
设备处于自动选择模式,或者如果DQ5变高(当设备处于
提供状态数据)。
8.查看
对于设备ID值和定义。
9.自动选择命令序列的第四,第五和第六周期
读周期。
10.该数据为00h的未受保护的部门和01H为受保护的行业。
SEE
了解更多信息。这是一样的PPB
状态读取不同的是保护和解除保护状态被反转
这里。
70
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
S29GL - P_00_A7 2007年11月8日