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S29GL128P10TAI010 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P10TAI010图片预览
型号: S29GL128P10TAI010
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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数据
(预利民AR Y)
7.2
字/字节CON组fi guration
该BYTE #引脚控制是否将设备数据I / O引脚工作在字节或字配置。如果
BYTE #引脚设置为逻辑“1” ,该设备是在Word中的配置, DQ0 - DQ15是活动的,由CE#控制
和OE # 。
如果BYTE #引脚设置为逻辑'0' ,该装置是在字节构成,并且仅数据I / O管脚的DQ0 - DQ7的是
积极通过CE#和OE #控制。数据I / O引脚DQ8 - DQ14是三态,而DQ15引脚用于
作为输入的LSB ( A- 1 )地址的功能。
7.3
VersatileIO
TM
(V
IO
)控制
该VersatileIO
TM
(V
IO
)控制允许主机系统设置的电压电平,该装置产生和
容忍对所有输入和输出(地址,控制和DQ信号) 。 V
IO
范围为1.65至V
CC
。看
对于V
IO
此设备上的选项。
例如,为V
IO
的1.65-3.6伏允许I / O在1.8 〜3伏的水平,激励和接收信号
并从同一数据总线上的其它1.8或3 V设备。
7.4
所有的记忆需要访问的时间来输出数组的数据。在读取操作中,数据从一个存储器中读出
位置的时间。地址被提供给该装置以随机顺序,并且通过传播延迟
该装置使得在其输出端的数据,在其输入端的地址的到达。
设备默认为后设备上电或硬件复位读取阵列的数据。读取来自数据
存储器阵列,系统必须首先断言上奥玛仕-A0的有效地址,在驾驶时OE#和CE#至V
IL
.
WE#必须保持在V
IH
。所有地址锁存CE #下降沿。数据将出现在DQ15-
后地址存取时间DQ0 (T
) ,它等于从稳定地址延迟到有效输出数据。
在OE #信号必须被驱动到V
IL
。数据被输出的访问时间之后,DQ15 - DQ0销(叔
OE
)有
从OE#的下降沿过后,假定吨
访问时间已经满足。
7.5
页面阅读模式
该装置能够读取快速页模式,并且与页模式掩模ROM读取兼容
操作。该模式可提供更快的读取访问速度页面内随机位置。的页大小
该装置是8个字/ 16字节。相应页面选择高位地址A(最大值) -A3 。
地址位A2- A0字模式( A2为A - 1字节模式)确定一个页面内的特定词。该
微处理器提供具体的字位置。
随机或初始页面访问等于t
或T
CE
和随后的页的读访问(只要
由微处理器落在该页面内)指定位置相当于吨
PACC
。当CE#为DE-
声明并重申了后续访问,访问时间为t
或T
CE
。快速页模式访问
通过保持“阅读页面地址”不变,改变“内页读”地址信息。
20
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
S29GL - P_00_A7 2007年11月8日