欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

S29GL128P10TAI010 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P10TAI010图片预览
型号: S29GL128P10TAI010
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第20页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第21页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第22页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第23页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第25页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第26页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第27页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第28页  
数据
(预利民AR Y)
7.7
编程/擦除操作
这些设备能够编程的几种模式和或擦除其中在被描述的操作
细节在下面的章节。
在写操作时,系统必须驱动CE#和WE #到V
IL
和OE #到V
IH
提供地址时,
命令和数据。地址锁存WE#或CE #最后下降沿,当数据被锁存
WE#或CE # 1号上升沿。
解锁绕道特性允许主机系统发送程序指令到闪存设备不
第一写入解锁指令序列内循环。看
关于解锁绕道细节
功能。
请注意以下几点:
当嵌入式程序算法完成时,设备将返回到读模式。
该系统可以通过读取DQ的状态位,确定该程序操作的状态。参阅
有关这些状态位的信息。
一个“0”,不能编程回一个“1”的后继读出表示该数据仍然是“ 0”。
只擦除操作可以转换为“0”到“1”。
嵌入式编程/擦除过程中写入到设备的任何命令都会被忽略,除了
暂停命令。
安全硅扇区,自动选择和CFI功能不可用,当一个程序运行在
进展情况。
硬件复位和/或电源去除立即终止编程/擦除操作和
编程/擦除命令序列应该重新开始,一旦设备已经返回到读模式
以确保数据的完整性。
编程允许以任何顺序和跨部门界限单字编程
操作。看
使用写缓冲时。
编程到相同的字地址多次而不介入擦除是允许的。
7.7.1
单字编程
单字编程模式是编程Flash的一种方法。在这种模式下, 4闪存命令
写周期是用来设定单独的Flash地址。此编程操作中的数据可以
是8位或16位宽的。
虽然一个字编程方法支持最Spansion公司的设备,一般的单字
编程是不建议支持写缓冲区编程设备。看
为所需的总线周期和
对于流程图。
当嵌入式程序算法完成时,设备则返回到读模式并
地址不再锁定。该系统可以通过读取确定的程序操作的状态
在DQ状态位。请参阅
有关这些状态位的信息。
在编程过程中,任何命令(除暂停程序指令)将被忽略。
担保硅业,自动选择和CFI功能不可用,当一个程序运行在
进展情况。
硬件复位,立即终止程序运行。该计划的命令序列,应
能够重新启动,一旦设备已经返回到读模式,以确保数据的完整性。
编程到同一地址多次连续地(例如, “行走”字内的位)
是允许的。
24
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
S29GL - P_00_A7 2007年11月8日