S29GL128P10TAI010 参数 Datasheet PDF下载

型号：	S29GL128P10TAI010
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内容描述：	3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用：	闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	77 页 / 2742 K
品牌：	SPANSION [ SPANSION ]

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数据

片

（预利民AR Y）

高级扇区保护/ unprotection的

高级扇区保护/ unprotection的功能禁用或启用编程或擦除操作

在任一或所有扇区，并且可以通过软件和/或硬件的方法，这是实现

相互独立的。本节描述了存储在保护数据的各种方法

存储器阵列。这些方法中所示的概况

图8.1 。

图8.1

高级扇区保护/ unprotection的

硬件方法

软件方法

锁定寄存器

WP ＃ / ACC = V

（最高或最低

扇形

锁定）

（一次性可编程）

密码的方法

(DQ2)

持久的方法

(DQ1)

64位密码

（一次性保护）

PPB锁定位

1,2,3

0 = PPBS锁定

1 = PPBS解锁

1位是挥发性的，

和

默认

“1”

上电复位。

2.编程到

“0”

锁

所有

PPBS自己

当前

状态。

一旦编程

“0”,

硬件要求

RESET TO

解锁。

存储阵列

扇形

一贯

保护位

（ PPB ）

4,5

PPB 0

PPB 1

PPB 2

动态

保护位

（ DYB ）

6,7,8

DYB 0

DYB 1

DYB 2

扇形

N-2

扇形

N-1

扇形

PPB N-2

PPB N-1

PPB ñ

4. 0 =

扇形

受保护的，

1 =

扇形

不受保护的。

5. PPBS单独编程，

但

集中清理

DYB N-2

DYB N-1

DYB ñ

6. 0 =

扇形

受保护的，

1 =

扇形

不受保护的。

7.有效的保护只有PPB锁定位

解锁并

对应PPB为“1”

（无保护）。

挥发性位：默认

用户

选择

上

电（参见订购选项）。

ñ =最高地址

部门。

S29GL -P的MirrorBit

快闪族

S29GL - P_00_A7 2007年11月8日

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