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    S29JL032H90TAI420 参数 Datasheet PDF下载

    S29JL032H90TAI420图片预览
    型号： S29JL032H90TAI420
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32M位3.0V CMOS FLASH MEMORY [32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 66 页 / 1605 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29JL032H90TAI420的Datasheet PDF文件第46页浏览型号S29JL032H90TAI420的Datasheet PDF文件第47页浏览型号S29JL032H90TAI420的Datasheet PDF文件第48页浏览型号S29JL032H90TAI420的Datasheet PDF文件第49页浏览型号S29JL032H90TAI420的Datasheet PDF文件第51页浏览型号S29JL032H90TAI420的Datasheet PDF文件第52页浏览型号S29JL032H90TAI420的Datasheet PDF文件第53页浏览型号S29JL032H90TAI420的Datasheet PDF文件第54页  
    A D V A N权证
    我N· Ø R M一T I O 4 N
    テスト条件
    3.3 V
    テスト中
    の
    デバイス
    CL
    6.2 k
    W
    2.7 k
    W
    注：ダイオードは，
    IN3064
    または相�½�品とします。
    図
    11.
    表
    15.
    テスト条件
    出力負荷
    出力負荷容量，C
    L
    （冶具容量を含む）
    入力パルス立上り時間
    /
    立下り時間
    入力パルスレベル
    入力タイミング測定基準レベル
    出力タイミング測定基準レベル
    測定条件
    テスト仕様
    60
    70, 90
    TTL
    ゲート
    1
    個
    30
    5
    0.0
    または
    VCC
    0.5 VCC
    0.5 VCC
    100
    pF
    ns
    V
    V
    V
    単�½�
    波�½�切替えのポイント
    波�½�
    入力
    確定
    H
    ⇒
    L
    変化点
    L
    ⇒
    H
    変化点
    任意，変化を許容
    適用せず
    変化，状態未確定
    中心线は高インピーダンス状态（高
    Z）
    出力
    VCC
    0.0 V
    0.5 VCC
    0.5 VCC
    図
    12.
    50
    入力波�½�と測定レベル
    S29JL032H
    2005年S29JL032HA11
    年
    3
    月
    9
    日

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