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S29JL032H90TAI420 参数 Datasheet PDF下载

S29JL032H90TAI420图片预览
型号: S29JL032H90TAI420
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内容描述: 32M位3.0V CMOS FLASH MEMORY [32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 66 页 / 1605 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
AC
特性
リードオンリ動�½�(注
1)
パラメータ
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
標準
t
RC
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
説明
リードサイクルタイム
アドレスから出力までの遅延
チップイネーブルからデータ出力までの遅延
出力イネーブルから出力までの遅延
チップイネーブルから出力高インピーダンスまで
(注
3)
出力イネーブルから出力高インピーダンスまで
(注
3)
前サイクルデータ出力保持时间, CE#または
OE #
(いずれか早い方)
リード
t
OEH
:
1.
各パラメータの詳細なタイミングについてはタイミング図を参照してください。
スピードバージョン
測定条件
最小値
CE # ,
OE # = V
IL
OE # = V
IL
最大値
最大値
最大値
最大値
最大値
最小値
最小値
最小値
5
60
60
60
60
25
70
70
70
70
30
16
16
0
0
10
90
90
90
90
35
単�½�
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
出力イネーブル保持時間
トグルおよび
数据#
ポーリング
2.
テスト仕様については,図
11
および表
15
を参照してください。
3.
データ端子に
50
Ω の終端抵抗を接続し,バイアス電圧
V
CC
/ 2
の条件で測定。
OE #高
から
V
CC
/ 2
駆動のデータバスまでの
時間を
t
DF
と想定。
.
t
RC
t
CE#
t
RH
t
RH
OE #
t
OEH
WE#
高Z
t
CE
t
OH
高Z
t
OE
t
DF
RESET#
RY / BY #
0V
13.
リード動�½�タイミング
2005
3
9
S29JL032HA11
S29JL032H
51