S71NS-J
堆叠式多芯片产品（ MCP ）
110纳米CMOS 1.8伏只同步读/写，
突发模式复用的闪存与PSRAM
数据表
（高级信息）
特点
单1.8伏读取，编程和擦除（ 1.7〜 1.95 V）
复用的数据和地址的减少
I / O数
- A15 -A0复用为DQ15 - DQ0
- 地址是由AVD ＃控制输入锁存当CE ＃低
同时读/写操作
- 可以将数据连续地从一个存储体的同时执行读
擦除/在其他银行的程序功能
•读取和写入操作之间的零延迟
包
- 56球很薄FBGA
产品选择指南
MCP
S71NS032JA0
S71NS032J80
FL灰
S29NS032J
S29NS032J
PSRAM
16兆
8兆
PSRAM类型
MUX PSRAM 2
MUX PSRAM 1
PSRAM阅读
只有异步
只有异步
OPN
S71NS032JA0BJWRT
S71NS032J80BJWRA
概述
包括在本文档中的产品列于下表
文件
S29NS-J
8 Mb的复用PSRAM类型1
16MB PSRAM复2型（异步只）
出版识别号码
S29NS-J_00
muxpsram_06
muxpsram_05
公开号
S71NS-J_00
修订03
发行日期
2006年10月10日
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