A D V A N权证
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概述
该PL129J是128兆， 3.0伏只页面模式和同步读/写
快闪存储器装置组织成8 Mwords 。
字级数据（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 。这个装置可以是亲
编程在系统或标准EPROM编程器。 12.0 V V
PP
不
在用于写或擦除操作。
该器件提供20至30毫微秒快速页面访问时间，与相应的随机
的55至70纳秒，分别dom的存取时间，从而允许高速
微处理器无需等待状态运行。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。注：设备PL129J有2个芯片使能输入（ ＃ CE1 ， CE2 ＃ ） 。
零延迟同步读/写操作
同时读/写架构提供
同时操作
通过将存储器空间划分为4个组，它可以被认为是4
单独的存储阵列，据某些操作有关。该装置
可以通过使一个主机系统进行编程提高整个系统的性能
或擦除在一家银行，然后立即同时从另一个读
零延迟银行（有两个同时操作运行在任何一个
时间）。此从等待完成一个程序的释放系统或
擦除操作，大大提高了系统的性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区配置。该
银行安排如下：
银行
1A
1B
2A
2B
PL129J部门
16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
48兆位（ 32千瓦×96 ）
48兆位（ 32千瓦×96 ）
16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
CE ＃控制
CE1#
CE1#
CE2#
CE2#
页面模式功能
页大小是8个字。后初始页面访问完成时，页面模式
操作提供了页面内的任意位置快速读取访问速度。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
（ 2.7 V至3.6 V）为
读取和写入功能。内部产生的，规范的电压亲
vided的编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC 42.4单
电源闪存标准。
命令被写入命令寄存器
用之三标准微处理器写时序。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，用于控制擦除和编程电路。
写周期也在内部锁存器所需的编程地址和数据
和擦除操作。读数据从装置的类似于读取从
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序指令序列。该
解锁旁路模式，要求只有两个有利于更快的编程时间
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S29PL129J的MCP
2004年S29PL129J_MCP_00_A0 6月4日，
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