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S71PL129JB0BAW9U0 参数 Datasheet PDF下载

S71PL129JB0BAW9U0图片预览
型号: S71PL129JB0BAW9U0
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内容描述: 堆叠式多芯片产品( MCP )闪存 [Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 149 页 / 2994 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
开始
RESET # =
V
IH
或V
ID
等待1
µs
写60H到
任何地址
如果数据= 00H ,
SecSi部门是
不受保护的。
如果数据= 01H ,
SecSi部门是
受保护的。
删除V
IH
或V
ID
从RESET #
写40H到SecSi
扇区地址
用A6 = 0 ,
A1 = 1, A0 = 0
从SecSi阅读
扇区地址
用A6 = 0 ,
A1 = 1, A0 = 0
写复位
命令
SecSi部门
保护验证
完整
图3.安全硅行业保护验证
硬件数据保护
解锁周期的命令序列的要求进行编程或擦除
提供数据保护,防止意外写操作。此外,以下
硬件数据保护措施防止意外删除或编程,
否则可能通过在V系统杂散电平信号引起
CC
上电和掉电转换,或者从系统的噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
,该设备不接受任何写周期。这种亲
在V tects数据
CC
上电和断电。命令寄存器和所有
内部编程/擦除电路都被禁止,设备复位到读
模式。随后的写操作被忽略,直到V
CC
大于V
LKO
。该系统
必须提供正确的信号给控制引脚,以防止意外的写入
当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
不到3纳秒(典型值)的OE # , # CE1 , CE2 #或WE #不ini-噪声脉冲
tiate一个写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE #任何一个= V抑制
IL
, CE1 # = CE2 # = V
IH
或WE # = V
IH
。要启动一个写周期, CE1 # / CE2 #和WE #必须是逻辑
零而OE#是逻辑1 。
上电时禁止写入
如果WE# = CE # ( # CE1 , CE2 #在PL129J ) = V
IL
和OE # = V
IH
上电时,
该设备不接受的WE #的上升沿命令。内部
状态机自动复位到上电时读取模式。
2004年6月4日S29PL129J_MCP_00_A0
S29PL129J的MCP
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