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S71PL129JB0BAW9U0 参数 Datasheet PDF下载

S71PL129JB0BAW9U0图片预览
型号: S71PL129JB0BAW9U0
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内容描述: 堆叠式多芯片产品( MCP )闪存 [Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 149 页 / 2994 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
命令德网络nitions
写入特定的地址和数据的命令或序列进入命令
寄存器启动设备的操作。
表12
定义了有效的寄存器命令
序列。写作
不正确的地址和数据值
或者将它们写在
不正确的序列
可以将设备放置在一个未知的状态。复位的COM
命令,然后需要将设备返回到读出阵列的数据。
所有地址锁存WE#或CE # ( # CE1 / CE2 #的下降沿
PL129J ) ,以较迟者为准发生。所有的数据被锁存WE的上升沿#
或CE # ( # CE1 / CE2 #在PL129J ) ,先发生者为准。看
AC特性
时序图。
读阵列数据
该装置会自动设置为设备后,开机读取阵列数据。没有
命令需要检索的数据。每家银行已准备好读取阵列数据
完成嵌入式程序或嵌入式擦除算法后,
之后,该设备接受一个擦除挂起命令时,相应的银行
进入擦除暂停读模式,在这之后,系统可以读取的数据
同一家银行内的任何非擦除悬浮部门。该系统可以读
使用标准的读出时序,不同之处在于,即使读取时的地址的数组数据
擦除悬浮部门内,设备输出状态数据。完成后
在擦除编程操作挂起模式时,系统可能会一次
再次用相同的异常读取阵列的数据。看
“擦除暂停/删除重
庙命令“
有关详细信息,第50页。
该系统
必须
发出复位命令返回银行,以读取(或使用擦除
暂停读)模式下,如果DQ5变为高电平期间,积极的编程或擦除操作
化,或者,如果该行是在自动选择模式。请参阅“重设
司令部“
了解更多
信息。
SEE
“对于读阵列数据要求”
第19页上
“设备总线操作
范“
图12
给出了时序图。
复位命令
写reset命令重置银行的读或擦除暂停阅读
模式。地址位不关心这个命令。
reset命令可以顺序循环之间被写入擦除
命令序列之前擦除开始。这将重置银行该系
统被写入读取模式。一旦擦除开始,然而,该装置
忽略重置命令,直到操作完成。
reset命令可以顺序循环之间被写在一个程序
命令序列编程之前开始。这将重置银行这
该系统是写入到读模式。如果程序的命令序列
写入到银行是在擦除挂起模式下,写复位命令
返回银行擦除挂起读取模式。一旦程序开始,
然而,该设备将忽略复位命令,直到操作完成。
reset命令可以将序列周期之间写成的自选
命令序列。一旦在自选模式,复位命令必须是
写入返回到读模式。如果银行进入自动选择模式,而
在擦除挂起模式下,写了银行的复位命令返回
擦除暂停阅读的模式。
2004年6月4日S29PL129J_MCP_00_A0
S29PL129J的MCP
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