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S熙吨
( ADVA NCE
在对M通报BULLETIN )
2.
订购信息
顺序号是由以下的有效组合形成:
S71WS
256
N
C
0
BA
W
A
K
0
包装类型
0 =盘
2 = 7 “卷带
3 = 13 “的磁带和卷轴
内存供应商, DYB上电,速度组合
K = 2 = CellularRAM的2,0 , 54兆赫
P = 2 = CellularRAM的2,1, 54兆赫
J = 2 = CellularRAM的2,0 , 66兆赫
N = 2 = CellularRAM的2,1, 66兆赫
H = 2 = CellularRAM的2,0 , 80兆赫
M = 2 = CellularRAM的2,1, 80兆赫
包修改
A = 8x11.6x1.2毫米, 84球FBGA
T = 8x11.6x1.4毫米, 84球FBGA
E = 9x12x1.4毫米, 84球FBGA
Y = 9x12x1.2毫米, 84球FBGA
温度范围
W =无线( -25 ° C至+ 85°C )
套餐类型
BA =非常薄细间距BGA ,铅(Pb ) - 免费标准套餐
BF =非常薄细间距BGA ,铅(Pb ) - 免费套餐
芯片内容- 2
没有内容
PSRAM的密度
B = 32 MB
C = 64兆
D = 128兆
工艺技术
N = 110纳米的MirrorBit ™技术
CODE闪存的密度
512 = 512 MB ( 2x256Mb )
256 = 256 MB
128 = 128兆
产品系列
S71WS =多芯片产品, 1.8伏只同时读/写突发
模式闪存+ PSRAM
2.1
有效组合
有效组合列表配置计划在音量此设备支持。请咨询您当地
销售办事处,以确认具体的有效组合的可用性,并检查新发布
组合。
表2.1
MCP配置和有效组合
有效组合
B
S71WS128N
C
C
S71WS256N
D
C
S71WS512N
D
包装标记注:
包装标识省略领先
S
从订购型号。
T
E
J,N , H,M
K,P ,J , N, H,M
0
BAW , BFW
Y
A
K,P ,J , N, H,M
K,P , H,M
A
A
K,P ,J , N, H,M
K,P ,J , N, H,M
A
K,P ,J , N, H,M
2006年7月19日S71WS , N_00_A6
S71WS-N
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