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S71WS256ND0BFWYP3 参数 Datasheet PDF下载

S71WS256ND0BFWYP3图片预览
型号: S71WS256ND0BFWYP3
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内容描述: 堆叠式多芯片产品( MCP ) [Stacked Multi-Chip Product (MCP)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 334 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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数据
( Advan CE
Infor的米TIO N )
3.
输入/输出说明
标识设置在设备上的输入和输出包的连接。
表3.1
输入/输出说明
符号
A23-A0
DQ15-DQ0
OE #
WE#
V
SS
NC
RDY
CLK
地址输入
数据输入/输出
输出使能输入。异步相对于CLK的连拍模式。
写使能输入。
无连接;在内部没有连接
准备好输出。指示读取突发的状况。在WAIT #引脚的PSRAM的是依赖于RDY 。
时钟输入。在连拍模式下,初始字后输出, CLK增加内部的后续活动的边缘
地址计数器。应该是在V
IL
或V
IH
而在异步模式
解决的有效输入。指示装置,该有效地址存在于地址输入端。
AVD #
低=异步模式下,表示有效的地址;对于突发模式,使起始地址被锁存。
高=设备将忽略地址输入
F- RST #
F- WP #
F- ACC
R-CE1#
F1-CE#
F2-CE#
R- CRE
F- VCC
R- VCC
R- UB #
R- LB #
DNU
硬件复位输入。低=设备重置并返回数组中读取数据
硬件写保护输入。在V
IL
,禁用程序,并在这四个最外层部门擦除功能。应
在V
IH
对于所有其他情况。
加快输入。在V
HH
,加快编程;在解锁旁路模式自动放置设备。在V
IL
,
禁用所有的编程和擦除功能。应该是在V
IH
对于所有其他情况。
芯片使能输入PSRAM 。
芯片使能输入闪存1.异步相对于CLK的突发模式。
芯片使能输入为Flash 2异步相对于CLK的突发模式。这仅适用于512MB的MCP 。
控制寄存器使能( PSRAM ) 。对于CellularRAM的唯一。
闪存1.8伏,只有单电源供电。
PSRAM电源。
高字节控制( PSRAM ) 。
低字节控制( PSRAM )
不要使用
描述
4
S71WS-N
S71WS - N_00_A6 2006年7月19日