SSM2603GY 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM2603GY
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 307 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM2603GY

P沟道增强模式

功率MOSFET

产品概述

简单的驱动要求

封装尺寸小

表面

贴装器件

DSS

DS （ ON）

-20V

65mΩ

-5.0A

SOT-26

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -26封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

无铅;符合RoHS标准

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-20

±12

-5

-4

-20

0.016

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

2007年11月29日Rev.1.00

www.SiliconStandard.com

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