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    SSM2603GY 参数 Datasheet PDF下载

    SSM2603GY图片预览
    型号： SSM2603GY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 307 K
    品牌： SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
     浏览型号SSM2603GY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SSM2603GY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSM2603GY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSM2603GY的Datasheet PDF文件第5页  
    SSM2603GY
    40
    36
    T
    A
    =25
    o
    C
    -5.0V
    30
    32
    T
    A
    =150
    o
    C
    -5.0V
    -4.0V
    28
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    -4.0V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    24
    65mΩ
    -3.0V
    20
    20
    -3.0V
    16
    12
    10
    8
    V
    G
    = -2.0V
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    4
    V
    G
    = -2.0V
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    0
    -V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    -V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    图1.典型的输出特性
    图2.典型的输出特性
    220
    1.8
    180
    I = -4.2A
    I
    DD
    =-4.2A
    T
    A
    =25
    o o
    C
    T
    A
    =25 C
    归一化ř
    DS （ ON）
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    1.6
    I
    D
    = -4.2A
    V
    GS
    = -4.5V
    1.4
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    140
    1.2
    100
    1
    60
    0.8
    20
    0.6
    -50
    0
    50
    100
    150
    -V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    T
    j
    ，结温（ C）
    o
    图3.导通电阻V.S.栅极电压
    图4.归一导通电阻
    V.S.结温
    1.5
    10
    1
    1
    T
    j
    =150
    o
    C
    0.1
    T
    j
    =25
    o
    C
    -V
    GS （ TH）
    (V)
    0.5
    -I
    S
    (A)
    2.01E+08
    0.01
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    0
    -50
    0
    50
    100
    150
    -V
    SD
    ，源极到漏极电压（V ）
    T
    j
    ，结温（
    o
    C)
    图5.正向特性
    反向二极管
    2007年11月29日Rev.1.00
    图6.栅极阈值电压V.S.
    结温
    3
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