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SFF24N50M 参数 Datasheet PDF下载

SFF24N50M图片预览
型号: SFF24N50M
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内容描述: 24 AMP / 500伏特, 0.2欧姆的N沟道功率MOSFET [24 AMP / 500 Volts 0.2 OHM N-Channel POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 54 K
品牌: SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
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固态器件, INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-7855 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF24N50M
SFF24N50Z
电气特性@ T
J
= 25ºC
(除非另有规定编)
漏源击穿电压
(VGS = 0V ,ID = 250
µA)
漏极至源极导通电阻
( VGS = 10V , ID = 50 %额定ID )
在国家漏极电流
( VDS>ID (上)× RDS ( ON)最大值, VGS = 10V )
栅极阈值电压
( VDS = VGS , ID = 4mA)时
正向跨导
( VDS>ID (上)× RDS ( ON)最大值, IDS = 50 %额定ID )
零栅极电压漏极电流
(VDS =最大额定电压,V GS = 0V)
( VDS = 80 %额定VDS , VGS = 0 V , TA = 125℃ )
门源漏FORWARD
门源漏反向
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开延迟时间
上升时间
打开延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
( IS =额定ID , VGS = 0V , TJ = 25°C )
二极管的反向恢复时间
反向恢复电荷
输入电容
输入电容
反向传输电容
T
J
=25ºC
IF=10A
Di/dt=100A/µsec
VGS = 0伏特
VDS = 25伏
F = 1 MHz的
额定VGS
VGS = 10伏
50 %的额定VDS
50 %的额定ID
VDD = 50 %额定VDS
50 %的额定ID
RG = 6.2Ω
VGS = 10伏
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D(上)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
500
––
24
2.0
8
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
典型值
––
––
––
––
12
––
––
––
––
135
28
62
16
33
65
30
––
––
––
4200
450
135
最大
––
0.2
––
4.0
––
250
1000
+100
-100
180
40
85
30
45
130
40
1.5
500
––
––
––
––
单位
A
V
姆欧
µA
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
TD (上)
nA
nC
tr
TD (关闭)
tf
纳秒
V
SD
t
rr
Q
RR
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
纳秒
nC
pF
热降额曲线等特点,请联系SSDI市场部。
可用型号:
SFF24N50M ; SFF24N50MDB ; SFF24N50MUB ;
SFF24N50Z ; SFF24N50ZDB ; SFF24N50ZUB ;
引脚配置(标准)
的TO- 254 (M)的
TO- 254Z ( Z)
销1
销1
来源
销2
销2
3脚
3脚
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : F00165F
DOC