SST25VF010-20-4C-SAE 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SST25VF010-20-4C-SAE
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内容描述：	1兆位的SPI串行闪存 [1 Mbit SPI Serial Flash]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	22 页 / 304 K
品牌：	SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]

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1兆位的SPI串行闪存

SST25VF010

数据表

扇区擦除

扇区擦除指令清除所选的所有4位

KB扇区为FFH 。一个扇区擦除指令适用于

受保护的存储器区域将被忽略。在此之前的任何写

操作时，写使能（ WREN）指令必须是

执行。 CE＃必须保持有效低电平的持续时间

在任何命令序列。扇区擦除指令

通过执行一个8位的命令，20H开始，接着

地址位[A

-A

] 。地址位[A

-A

]

=最高有效地址）被用来确定

扇区地址（SA

），其余的地址位可以是V

IH 。

CE＃必须驱动为高电平之前的指令是exe-

cuted 。用户可以轮询软件状态的忙位

注册或等待牛逼

为完成内部的自我

定时扇区擦除周期。参见图7为在扇区

擦除序列。

CE＃

模式3

0 1 2 3 4 5 6 7 8

15 16

23 24

SCK

模式0

最高位

添加。

最高位

添加。

高阻抗

1233 F07.1

图7 ：•

埃克特

-E

RASE

EQUENCE

块擦除

块擦除指令会将所选32位的所有

K字节块为FFH 。 A座擦除指令适用于

受保护的存储器区域将被忽略。在此之前的任何写

操作时，写使能（ WREN）指令必须是

执行。 CE＃必须保持有效低电平的持续时间

任何命令序列。块擦除指令

通过执行一个8位的命令启动， 52H ，其次是

地址位[A

-A

] 。地址位[A

-A

] (A

=最

显著地址）被用来确定块地址

（ BA

），其余的地址位可以是V

或V

。 CE ＃必须

驱动为高电平的指令执行前。用户

可以轮询软件状态寄存器的忙位，或等待

为完成内部自定时块擦除的

擦除周期。参见图8的块擦除序列。

CE＃

模式3

0 1 2 3 4 5 6 7 8

15 16

23 24

SCK

模式0

最高位

添加。

最高位

添加。

高阻抗

1233 F08.1

图8 ： B

LOCK

-E

RASE

EQUENCE

S71233-05-000

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