1兆位的SPI串行闪存
SST25VF010
数据表
写状态寄存器（ WRSR ）
在写状态寄存器指令协同工作
与启用，写状态寄存器（ EWSR ）指令
写新值的的BP1 ， BP0和BPL位
状态寄存器。在写状态寄存器指令必须
可以在Enable-执行后立即执行
写状态寄存器指令（第二天指令总线
周期） 。这两个步骤的指令的EWSR的序列
指令后面的指令就像在WRSR
SDP （软件数据保护）命令结构
防止的状态意外更改注册val-
UE的。在写状态寄存器指令将被忽略
当WP＃为低电平和BPL位被设置为“1”。当WP ＃
低， BPL位只能被从“0”设定为“1 ”到锁相
向下状态寄存器，但不能从“1”复位为“0”。
当WP ＃为高电平时， BPL位的锁定功能
残疾人和BPL ， BP0和BP1位在稳压状态
存器都可以被改变。只要BPL位被设置为0或
WP ＃引脚驱动为高电平（V
IH
）之前，由低到高的跃迁
化的CE＃引脚在WRSR指令结束时，
BP0 ， BP1和BPL在状态寄存器位都可以
通过WRSR指令改变。在这种情况下，一个单一的
WRSR指令可以设置BPL位为“ 1 ”来锁定
状态寄存器以及改变BP0和BP1位
同时。请参阅表3中的简要描述
WP ＃和BPL功能。 CE ＃必须在驱动为低电平
WRSR指令的命令序列
输入并驱动为高电平前WRSR指令
执行。参见图13 EWSR和WRSR指令
序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7
模式3
模式0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
SCK
模式0
SI
最高位
SO
50
最高位
01
高阻抗
状态
在注册
7 6 5 4 3 2 1 0
最高位
1233 F13.1
图13 ：电子
NABLE
-W
RITE
-S
TATUS
-R
EGISTER
（ EWSR ）
和
W
RITE
-S
TATUS
-R
EGISTER
（ WRSR ）S
EQUENCE
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S71233-05-000
1/06
13
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