512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
字节编程操作
该SST27SF512 / 010 / 020顷通过使用编程
外部编程。编程模式
SST27SF010 / 020是通过在断言11.4-12V激活
V
PP
针，V
DD
= 4.5-5.5V, V
IL
在CE ＃引脚，
V
IH
在OE ＃
引脚。编程模式SST27SF512被激活
通过OE ＃断言11.4-12V / V
PP
针，V
DD
= 4.5-5.5V,
和V
IL
在CE ＃引脚。这些设备被编程字节级
逐字节与所需的数据在所需的地址使用
单脉冲（ CE ＃引脚为低电平SST27SF512和PGM ＃
引脚为低电平SST27SF010的20微秒/ 020 ） 。使用MTP亲
编程算法，该字节编程过程CON-
tinues逐字节直到整个芯片已
编程。
产品标识模式
产品标识模式标识的设备上进行
在SST27SF512 ， SST27SF010和SST27SF020和
制造商为SST。这种模式可以由被访问
硬件方法。要激活此模式SST27SF010 /
020 ，编程设备必须强制V
H
(11.4-12V)
在地址A
9
随着V
PP
脚在V
DD
（ 4.5-5.5V ）或V
SS
。对
激活此模式SST27SF512 ，编程
设备必须强制V
H
（ 11.4-12V ）上的地址A
9
同
OE ＃ / V
PP
脚在V
IL
。然后两个标识符字节可能
通过切换地址线从设备的输出序列
A
0
。有关详细信息，请参阅表3和表4的硬件操作。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST27SF512
SST27SF010
SST27SF020
0001H
0001H
0001H
A4H
A5H
A6H
T1.2 1152
芯片擦除操作
只有这样，才能从“0”改变数据“1”是由electri-
卡尔擦除改变每一个位中的设备设置为“ 1”。与
传统的EPROM ，它使用UV光做削片
擦除时， SST27SF512 / 010 / 020采用了电削片
擦除操作。这节省了显著量的时间
（约30分钟，每个擦除操作）。整个
芯片可以在100毫秒的单个脉冲被删除（ CE＃销
低SST27SF512和PGM ＃引脚SST27SF010 /
020 ） 。为了激活擦除模式SST27SF010 /
020 ，该11.4-12V施加到V
PP
AND A
9
销，V
DD
= 4.5-
5.5V, V
IL
在CE ＃引脚，
V
IH
在OE ＃引脚。为了爱科特
瓦泰岛擦除模式SST27SF512 ，在11.4-12V应用
到OE ＃ / V
PP
AND A
9
销，V
DD
= 4.5-5.5V ，和V
IL
在CE ＃
引脚。其他所有的地址和数据引脚“不关心” 。该
坠落的CE＃边缘（ PGM ＃为SST27SF010 / 020 ）将启动
芯片擦除操作。一旦芯片被擦除，
所有字节必须为FFH进行验证。参阅图11和
数据
BFH
0000H
©2005硅存储技术公司
S71152-11-000
9/05
2
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
