256千比特/ 512千位/ 1兆位/ 2 Mbit的多用途闪存
SST27SF256 / SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
表14 ：P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS FOR
SST27SF256
符号
T
AS
T
AH
T
PRT
T
VPS
T
VPH
T
PW
T
EW
T
DS
T
DH
T
VR
T
艺术
T
A9S
T
A9H
参数
地址建立时间
地址保持时间
V
PP
脉冲上升时间
V
PP
建立时间
V
PP
保持时间
CE＃编程脉冲宽度
CE＃擦除脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
V
PP
AND A
9
恢复时间
A
9
上升时间为12V时擦除
A
9
擦除过程中建立时间
A
9
擦除过程中保持时间
民
1
1
50
1
1
20
100
1
1
1
50
1
1
最大
单位
µs
µs
ns
µs
µs
µs
ms
µs
µs
µs
ns
µs
µs
T14.0 502
30
500
表15 ：P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS FOR
SST27SF512
符号
T
AS
T
AH
T
PRT
T
VPS
T
VPH
T
PW
T
EW
T
DS
T
DH
T
VR
T
艺术
T
A9S
T
A9H
参数
地址建立时间
地址保持时间
OE ＃ / V
PP
脉冲上升时间
OE ＃ / V
PP
建立时间
OE ＃ / V
PP
保持时间
CE＃编程脉冲宽度
CE＃擦除脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
OE ＃ / V
PP
AND A
9
恢复时间
A
9
上升时间为12V时擦除
A
9
擦除过程中建立时间
A
9
擦除过程中保持时间
民
1
1
50
1
1
20
100
1
1
1
50
1
1
最大
单位
µs
µs
ns
µs
µs
µs
ms
µs
µs
µs
ns
µs
µs
T15.0 502
30
500
表16 ：P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS FOR
SST27SF010/020
符号
T
CES
T
CEH
T
AS
T
AH
T
PRT
T
VPS
T
VPH
T
PW
T
EW
T
DS
T
DH
T
VR
T
艺术
T
A9S
T
A9H
参数
CE＃建立时间
CE＃保持时间
地址建立时间
地址保持时间
V
PP
脉冲上升时间
V
PP
建立时间
V
PP
保持时间
PGM ＃编程脉冲宽度
PGM ＃擦除脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
A
9
恢复时间删除
A
9
上升时间为12V时擦除
A
9
擦除过程中建立时间
A
9
擦除过程中保持时间
民
1
1
1
1
50
1
1
20
100
1
1
1
50
1
1
最大
单位
µs
µs
µs
µs
ns
µs
µs
µs
ms
µs
µs
µs
ns
µs
µs
T16.0 502
30
500
©2001硅存储技术公司
S71152-02-000 5/01
502
11
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
