256千比特/ 512千位/ 1兆位/ 2 Mbit的多用途闪存
SST27SF256 / SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
表7 ：P
ROGRAM
/E
RASE
DC Ø
操作摄像机
C
极特FOR
SST27SF256
V
DD
=5.0V±10%, V
PP
=V
PPH
(Ta=25°C±5°C)
范围
符号参数
I
DD
I
PP
I
LI
I
LO
V
H
I
H
V
PPH
V
DD
擦除或编程电流
V
PP
擦除或编程电流
输入漏电流
输出漏电流
超高压对于A
9
超高压电流，以
9
高电压V
PP
针
民
最大值单位测试条件
30
1
1
1
11.4 12.6
100
11.4 12.6
mA
mA
µA
µA
V
µA
V
T7.1 502
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
PP
=12V±5%, V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
PP
=12V±5%, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ = V
白细胞介素，
CE ＃ = OE ＃ = V
白细胞介素，
A
9
=V
H
最大
表8 ：P
ROGRAM
/E
RASE
DC Ø
操作摄像机
C
极特FOR
SST27SF512
V
DD
=5.0V±10%, V
PP
=V
PPH
(Ta=25°C±5°C)
范围
符号参数
I
DD
I
PP
I
LI
I
LO
V
H
I
H
V
PPH
V
DD
擦除或编程电流
V
PP
擦除或编程电流
输入漏电流
输出漏电流
超高压对于A
9
超高压电流，以
9
高电压OE ＃ / V
PP
针
民
最大值单位测试条件
30
1
1
1
11.4 12.6
100
11.4 12.6
mA
mA
µA
µA
V
µA
V
T8.1 502
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ / V
PP
=12V±5%, V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ / V
PP
=12V±5%, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ / V
PP
=V
白细胞介素，
CE ＃ = OE ＃ / V
PP
=V
白细胞介素，
A
9
=V
H
最大
表9 ：P
ROGRAM
/E
RASE
DC Ø
操作摄像机
C
极特FOR
SST27SF010/020
V
DD
=5.0V±10%, V
PP
=V
PPH
(Ta=25°C±5°C)
范围
符号参数
I
DD
I
PP
I
LI
I
LO
V
H
I
H
V
PPH
V
DD
擦除或编程电流
V
PP
擦除或编程电流
输入漏电流
输出漏电流
超高压对于A
9
超高压电流，以
9
高电压V
PP
针
民
最大值单位测试条件
30
1
1
1
11.4 12.6
100
11.4 12.6
mA
mA
µA
µA
V
µA
V
T9.1 502
CE＃ = PGM ＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
PP
=12V±5%,
V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = PGM ＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
PP
=12V±5%,
V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ = V
白细胞介素，
CE ＃ = OE ＃ = V
白细胞介素，
A
9
=V
H
最大
©2001硅存储技术公司
S71152-02-000 5/01
502
9
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
