256千比特/ 512千位/ 1兆位/ 2 Mbit的多用途闪存
SST27SF256 / SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
在V
PP
针，V
DD
= 5V (±5%), V
IL
在CE ＃引脚，
V
IH
on
OE ＃引脚。编程模式SST27SF512被激
由OE＃断言12V （±5％ ）/ V氧基团
PP
针，V
DD
= 5V
（±5％ ）和V
IL
在CE ＃引脚。这些器件亲
编程逐字节与在所需的所希望的数据
地址采用单脉冲（ CE ＃引脚为低电平
SST27SF256 / 512和PGM ＃引脚为低电平SST27SF010 /
020 ）的20微秒。使用MTP编程算法中，
字节编程过程继续逐字节，直到
整个芯片已被编程。
产品标识模式
产品标识模式标识的设备上进行
在SST27SF256 ， SST27SF512 ， SST27SF010和
SST27SF020和制造商为SST。此模式可
由硬件方法来访问。要激活此
模式为SST27SF256 / 010 / 020 ，编程分析装备
换货必须强制V
H
（ 12V ± 5 ％ ）的地址A
9
随着V
PP
针
在V
DD
（5V ± 10％）或V
SS
。要激活此模式
SST27SF512 ，编程设备必须迫使V
H
（ 12V ± 5 ％ ）的地址A
9
用OE ＃ / V
PP
脚在V
IL
。两
identi音响器的字节然后，可以从该设备测序
通过切换地址线A输出
0
。有关详细信息，请参阅表
3 ，图4和5，用于硬件操作。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST27SF256
SST27SF512
SST27SF010
SST27SF020
0001H
0001H
0001H
0001H
A3H
A4H
A5H
A6H
T1.1 502
芯片擦除操作
只有这样，才能从“0”改变数据“1”是由electri-
卡尔擦除改变每一个位中的设备设置为“ 1”。与
传统的EPROM ，它使用UV光做削片
擦除时， SST27SF256 / 512 / 010 / 020采用了电
芯片擦除操作。这节省了显著量的
时间（约30分钟对每个擦除操作）。该
整个芯片可以在100毫秒的单个脉冲被删除（ CE＃
引脚为低电平SST27SF256 / 512和PGM ＃引脚
SST27SF010 / 020 ） 。为了激活擦除模式
SST27SF256 / 010 / 020 ，将12V （±5％ ）被施加到V
PP
AND A
9
销，V
DD
= 5V (±5%), V
IL
在CE ＃引脚，
V
IH
on
OE ＃引脚。为了激活擦除模式SST27SF512 ，
在12V （±5％ ）被施加到OE＃ / v
PP
AND A
9
销，V
DD
=
5V （±5％ ）和V
IL
在CE ＃引脚。所有其它地址和数据
销“不关心” 。的CE＃ （ PGM ＃的下降沿
SST27SF010 / 020）将启动芯片擦除操作。
一旦该芯片已被删除，所有字节必须进行验证
为FFH 。参见图13 ，图14和15的流程图。
数据
BFH
0000H
©2001硅存储技术公司
S71152-02-000 5/01
502
2
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
