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SST29VF020-70-4C-WHE 参数 Datasheet PDF下载

SST29VF020-70-4C-WHE图片预览
型号: SST29VF020-70-4C-WHE
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内容描述: 2兆位/ 4兆位( X8 )小扇区闪存 [2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 25 页 / 395 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
数据表
数据#投票( DQ
7
)
当SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040
设备内部程序运行过程中,
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后,
DQ
7
将产生真正的数据。请注意,即使DQ
7
可能有立即的有效数据完成以下
在内部写操作的,其余数据输出
可能仍然是无效的:在整个数据总线上的有效数据将
出现在后的后续读周期
间隔1微秒。在内部擦除操作,任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时, DQ的
7
将产生一个'1'。该
数据#查询后的第4个WE #上升沿有效
(或CE # )脉冲编程操作。对于扇区或
芯片擦除,数据#查询后上涨有效
6个WE# (或CE # )脉冲的边缘。参见图7为
数据#查询时序图和图17的液流 -
图。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护: WE#或CE #脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测:写操作
抑制当V
DD
低于2.5V的SST29SF020 /
040的写入操作被禁止时, V
DD
小于
1.5V 。为SST29VF020 / 040 。
写禁止模式:强制OE #低, CE #高或WE#
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护( SDP )
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040提供
在JEDEC批准的软件数据保护方案
所有数据修改操作,即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作,提供最佳
保护防止意外写操作,例如,在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含一个6字节装入序列。这些
设备附带的软件数据保护per-
manently启用。具体的软件命令代码
示于表4中。在SDP命令序列
无效命令会中止器件读取模式,内
T
RC 。
切换位( DQ
6
)
在内部编程或擦除操作,有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交替'0'
和'1' ,即0和1之间切换。当内部
编程或擦除操作完成后,触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE #上升沿触发位是有效的(或
CE# )脉冲编程操作。对于部门或削片
擦除,切换位之后第六个上升沿有效
WE# (或CE #)脉冲。参见图8的翻转位时序dia-
克和图17的流程图。
数据保护
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
同时提供硬件和软件功能来保护
从意外写入非易失性数据。
©2005硅存储技术公司
S71160-13-000
10/06
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