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SST29EE010-150-4C-NH 参数 Datasheet PDF下载

SST29EE010-150-4C-NH图片预览
型号: SST29EE010-150-4C-NH
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内容描述: 1兆位( 128K ×8 )页面模式的EEPROM [1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 26 页 / 325 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
304 ILL F01.2
标准引脚
顶视图
死亡最多
图2 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
TSOP
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE#
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
304 ILL F19.0
图3 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
PDIP
表2 :P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
16
-A
7
A
6
-A
0
引脚名称
行地址输入
列地址输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义一个页面的写周期。
列地址被切换到页面加载数据
要在读周期输出数据,并在写周期接收输入数据。
数据在一个写周期内锁定。
输出处于三态,当OE #或CE #为高电平。
要激活设备时, CE#为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供:
5.0V电源( ±10%)为SST29EE010
3.0V电源( 3.0-3.6V )的SST29LE010
2.7V电源( 2.7-3.6V )的SST29VE010
DQ
7
-DQ
0
CE#
OE #
WE#
V
DD
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
V
SS
NC
无连接
未连接引脚。
T2.1 304
©2001硅存储技术公司
S71061-07-000 6/01
304
5