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SST29EE010-150-4C-NH 参数 Datasheet PDF下载

SST29EE010-150-4C-NH图片预览
型号: SST29EE010-150-4C-NH
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内容描述: 1兆位( 128K ×8 )页面模式的EEPROM [1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 26 页 / 325 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
表7 ,R
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU- READ
1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
5
单位
µs
ms
T7.1 304
T
PU-WRITE1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表8 :C
APACITANCE
参数
C
I/O1
C
IN
1
( TA = 25 ° C,F = 1 MHz,其他引脚开路)
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T8.0 304
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表9 :v
ELIABILITY
C
极特
符号
N
结束
T
DR1
I
LTH1
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T9.5 304
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
©2001硅存储技术公司
S71061-07-000 6/01
304
9