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    SST29EE010-150-4C-PH 参数 Datasheet PDF下载

    SST29EE010-150-4C-PH图片预览
    型号： SST29EE010-150-4C-PH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM [1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM]
    分类和应用： 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 26 页 / 325 K
    品牌： SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
     浏览型号SST29EE010-150-4C-PH的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SST29EE010-150-4C-PH的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SST29EE010-150-4C-PH的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SST29EE010-150-4C-PH的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SST29EE010-150-4C-PH的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SST29EE010-150-4C-PH的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SST29EE010-150-4C-PH的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SST29EE010-150-4C-PH的Datasheet PDF文件第12页  
    1兆位页面模式的EEPROM
    SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
    数据表
    表5 ： DC Ø
    操作摄像机
    C
    极特
    V
    DD
    = 5.0V±10%
    为
    SST29EE010
    范围
    符号
    I
    DD
    参数
    电源电流
    读
    写
    I
    SB1
    I
    SB2
    I
    LI
    I
    LO
    V
    IL
    V
    IH
    V
    OL
    V
    OH
    待机V
    DD
    当前
    （ TTL输入）
    待机V
    DD
    当前
    （ CMOS输入）
    输入漏电流
    输出漏电流
    输入低电压
    输入高电压
    输出低电压
    输出高电压
    2.4
    2.0
    0.4
    30
    50
    3
    50
    1
    10
    0.8
    mA
    mA
    mA
    µA
    µA
    µA
    V
    V
    V
    V
    民
    最大
    单位
    测试条件
    地址输入= V
    IL
    /V
    IH
    ，在f = 1 / T的
    RC
    敏
    V
    DD
    =V
    DD
    最大
    CE ＃ = OE ＃ = V
    IL
    ， WE＃ = V
    IH
    ，所有I / O开放
    CE＃ = WE＃ = V
    IL
    ， OE ＃ = V
    IH
    , V
    DD
    =V
    DD
    最大
    CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
    IH
    , V
    DD
    =V
    DD
    最大
    CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
    DD
    -0.3V, V
    DD
    =V
    DD
    最大
    V
    IN
    = GND到V
    DD
    , V
    DD
    =V
    DD
    最大
    V
    OUT
    = GND到V
    DD
    , V
    DD
    =V
    DD
    最大
    V
    DD
    =V
    DD
    民
    V
    DD
    =V
    DD
    最大
    I
    OL
    = 2.1毫安， V
    DD
    =V
    DD
    民
    I
    OH
    = -400 μA ，V
    DD
    =V
    DD
    民
    T5.3 304
    表6 ： DC Ø
    操作摄像机
    C
    极特
    V
    DD
    = 3.0-3.6V
    为
    SST29LE010
    和
    2.7-3.0V
    为
    SST29VE010
    范围
    符号
    I
    DD
    参数
    电源电流
    读
    写
    I
    SB1
    I
    SB2
    I
    LI
    I
    LO
    V
    IL
    V
    IH
    V
    OL
    V
    OH
    待机V
    DD
    当前
    （ TTL输入）
    待机V
    DD
    当前
    （ CMOS输入）
    输入漏电流
    输出漏电流
    输入低电压
    输入高电压
    输出低电压
    输出高电压
    2.4
    2.0
    0.4
    12
    15
    1
    15
    1
    10
    0.8
    mA
    mA
    mA
    µA
    µA
    µA
    V
    V
    V
    V
    民
    最大
    单位
    测试条件
    地址输入= V
    IL
    /V
    IH
    ，在f = 1 / T的
    RC
    敏
    V
    DD
    =V
    DD
    最大
    CE ＃ = OE ＃ = V
    IL
    ， WE＃ = V
    IH
    ，所有I / O开放
    CE＃ = WE＃ = V
    IL
    ， OE ＃ = V
    IH
    , V
    DD
    =V
    DD
    最大
    CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
    IH
    , V
    DD
    =V
    DD
    最大
    CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
    DD
    -0.3V, V
    DD
    =V
    DD
    最大
    V
    IN
    = GND到V
    DD
    , V
    DD
    =V
    DD
    最大
    V
    OUT
    = GND到V
    DD
    , V
    DD
    =V
    DD
    最大
    V
    DD
    =V
    DD
    民
    V
    DD
    =V
    DD
    最大
    I
    OL
    = 100 μA ，V
    DD
    =V
    DD
    民
    I
    OH
    = -100 μA ，V
    DD
    =V
    DD
    民
    T6.3 304
    ©2001硅存储技术公司
    S71061-07-000 6/01
    304
    8

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