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SST29EE010-150-4C-PH 参数 Datasheet PDF下载

SST29EE010-150-4C-PH图片预览
型号: SST29EE010-150-4C-PH
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内容描述: 1兆位( 128K ×8 )页面模式的EEPROM [1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 26 页 / 325 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
表3 :O型
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
页写
待机
写禁止
软件芯片擦除
产品标识
软件模式
SDP使能模式
SDP禁止模式
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
制造商ID ( BFH )
器件ID
2
见表4
见表4
见表4
T3.3 304
CE#
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
OE #
V
IL
V
IH
X
1
V
IL
X
V
IH
WE#
V
IH
V
IL
X
X
V
IH
V
IL
DQ
D
OUT
D
IN
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
D
IN
地址
A
IN
A
IN
X
X
X
A
IN,
见表4
1. X可以是V
IL
或V
IH
,但没有其他价值。
2.设备ID = 07H为SST29EE010和08H的SST29LE / VE010
表4 :•
OFTWARE
C
OMMAND
S
EQUENCE
命令
顺序
软件
数据保护启用
&放大器;页写
软件
数据保护禁用
软件ID进入
4,5
软件ID退出
备用
软件ID进入
6
第一巴士
写周期
ADDR
1
5555H
数据
AAH
第二巴士
写周期
ADDR
1
2AAAH
数据
55H
3公交车
写周期
ADDR
1
5555H
数据
A0H
4公交车
写周期
ADDR
1
ADDR
2
数据
数据
第五公交
写周期
ADDR
1
数据
第六届巴士
写周期
ADDR
1
数据
5555H
AAH
AAH
AAH
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
55H
55H
55H
5555H
5555H
5555H
5555H
5555H
80H
80H
90H
F0H
80H
5555H
5555H
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
5555H
20H
10H
软件芯片擦除
3
5555H
5555H
5555H
5555H
5555H
AAH
2AAAH
55H
5555H
60H
T4.3 304
1.地址格式的
14
-A
0
(十六进制) ,地址一个
15
AND A
16
可以是V
IL
或V
IH
,但没有其他价值。 “
第2页,写由装载多达128个字节(
6
-A
0
)
3.软件片擦除功能没有受到工业温度部分支撑。
如果您需要此功能的工业级温度部分,请联系SST 。
4.设备不停留在软件产品ID模式,如果断电。
5.带
14
-A
1
= 0; SST制造商ID = BFH ,读有A
0
= 0,
SST29EE010设备ID = 07H ,读有A
0
= 1
SST29LE / VE010设备ID = 08H ,读有A
0
= 1
6.备用六字节软件产品ID命令代码
注意:
该产品同时支持JEDEC标准三字节指令代码序列和SST的原6字节的命令码
序列。对于新的设计,SST建议该3字节的命令码序列被使用。
©2001硅存储技术公司
S71061-07-000 6/01
304
6