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SST29EE512-70-4C-PH 参数 Datasheet PDF下载

SST29EE512-70-4C-PH图片预览
型号: SST29EE512-70-4C-PH
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内容描述: 512千位( 64K ×8 )页写EEPROM [512 Kbit (64K x8) Page-Write EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 26 页 / 424 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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512 Kbit的页面,写EEPROM
SST29EE512
数据表
AC特性
表9 :v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS FOR
SST29EE512
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE#低电平至输出
OE #低到有源输出
CE#高到高阻输出
OE #高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
0
20
20
70
70
70
30
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T9.3 1060
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 :P
AGE
-W
RITE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
WC
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
DS
T
DH1
T
BLC1
T
BLCO1
T
IDA1
T
SCE
参数
写周期(擦除和编程)
地址建立时间
地址保持时间
WE#和CE #建立时间
WE#和CE #保持时间
OE #高的建立时间
OE #高保持时间
CE#脉冲宽度
WE#脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
字节负载循环时间
字节负载循环时间
软件ID准入和退出时间
软件芯片擦除
0
50
0
0
0
0
70
70
35
0
0.05
200
10
20
100
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
µs
µs
ms
T10.6 1060
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
©2005硅存储技术公司
S71060-09-000
9/05
10