512 Kbit的页面，写EEPROM
SST29EE512
数据表
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
高温下的偏差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
直流电压上的任何引脚对地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.0V到V
DD
+2.0V
上的电压
9
引脚到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到14.0V
包装功率耗散能力（T
A
= 25 ℃）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
通孔焊接温度（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
表面贴装回流焊温度
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃ 10秒
输出短路电流
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
1.排除某些与铅32 PLCC单位，所有的包都260
°
（3）具有两个非铅和无铅焊料的版本。
一定有铅32 PLCC封装类型都能够240
°
下进行10秒;请咨询厂家的最新信息。
2.输出短路为不超过一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。
O
操作摄像机
R
安格FOR
SST29EE512
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
4.5-5.5V
4.5-5.5V
AC - C
作者ONDITIONS
T
美东时间
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 TTL门和C
L
= 100 pF的
请参阅图13和14
表5 ： DC Ø
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 4.5-5.5V
为
SST29EE512
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
编程和擦除
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
待机V
DD
当前
（ TTL输入）
待机V
DD
当前
（ CMOS输入）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
2.4
2.0
0.4
30
50
3
50
1
10
0.8
mA
mA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT
，在f = 1 / T的
RC
敏
V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
，所有I / O开放
CE＃ = WE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
, V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
IH
, V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 2.1毫安， V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -400 μA ，V
DD
=V
DD
民
T5.2 1060
©2005硅存储技术公司
S71060-09-000
9/05
8
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
