多用途闪存+ + SRAM ComboMemory
SST32HF324C
初步规格
TOP VIEW （球朝下）
SST32HF324C
6
5
4
3
2
1
BES ＃ VSS DQ1
A10 DQ5 DQ2
OE ＃ DQ7 DQ4
A11
A13
A8
A5
A1
A0
DQ0
DQ8
A2
A3
A6
A4
A7
A18
A19
A20
NC
A9
A14
A15
DQ3 DQ12
A12 LBS ＃
DQ6 DQ15
WE＃ VDDS A16
VSS
DQ9 DQ11 DQ13 DQ14
A B C D E F G H
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
LBGA （ 10
MM X
12
MM
)
表3 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
DQ
15
-DQ
0
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
功能
提供闪存的地址：一个
20
-A
0
SRAM的地址：一个
17
-A
0
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。
数据在闪存擦除/编程周期内锁定。
输出处于三态，当OE ＃或BES ＃和BEF ＃高。
要激活SRAM存储器组时， BES ＃低。
要激活闪存库时BEF ＃低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
2.7-3.3V电源到Flash而已。
2.7-3.3V电源为SRAM只
为了使DQ
15
-DQ
8
启用
DQ
7
-DQ
0
未连接引脚
T3.0 1267
BES ＃
BEF ＃
OE ＃
WE＃
V
DDF
V
DDS
V
SS
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
NC
SRAM记忆库启用
闪存银行启用
OUTPUT ENABLE
写使能
电源供应器（闪存）
电源供应器（ SRAM ）
地
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
无连接
1. A
MS
=最显著地址
©2005硅存储技术公司
1267
48 - LBGA P2.1
瑞银A17 ＃ BEF ＃ DQ10 VDDF
S71267-02-000
9/05
6
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
