SST39SF020-70-4C-PH 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SST39SF020-70-4C-PH
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内容描述：	2兆位（ 256K ×8 ）多用途闪存 [2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose Flash]
分类和应用：	闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	23 页 / 230 K
品牌：	SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]

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2兆位多用途闪存

SST39SF020

初步规格

CE＃保持低电平。地址总线被锁存的

下降沿WE＃或CE＃，最后为准。该

数据总线被锁定在WE＃或CE ＃的上升沿，

以先到为准。

读

该SST39SF020设备的读操作所配置

通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的

系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于

设备选择。当CE＃为高电平时，芯片是dese-

lected只有待机功耗。 OE ＃是

输出控制，并从所述输出用于门控数据

销。数据总线处于高阻抗状态时，无论

CE ＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序

图作进一步的详细信息（图3）。

字节编程

该SST39SF020器件进行编程以字节逐

字节的基础。在编程操作包括三个

步骤。第一步是为三字节序列载荷

软件数据保护。第二步骤是要加载

字节地址和字节的数据。在字节编程

操作时，地址锁存下降沿

任CE ＃或WE ＃，先到为准最后。该数据是

锁存，无论是CE＃上升沿或WE ＃，而─

先出现。第三步是在内部编程

其操作之后的上升沿开始

第四WE＃或CE ＃，以先到为准。该计划

操作时，一旦启动，将完成，在30微秒。

参见图4和图5为WE ＃和CE＃控制

编程操作时序图和图14

流程图。在编程操作期间，唯一有效的

读操作是数据＃查询和翻转位。在

内部编程操作，主机可以自由地执行

其他任务。在接口编写的任何命令

最终编程操作将被忽略。

扇区擦除操作

扇区擦除操作使系统能够清除

在逐扇区的基础设备。部门

体系结构是基于4K字节均匀的扇区大小。

通过执行一个启动扇区擦除操作

软件数据亲六字节命令加载顺序

tection扇区擦除命令（ 30H ）和部门

地址（SA ）在最后一个总线周期。地址线

A12 -A17将用于确定该扇区的地址。

扇区地址被锁存的下降沿

6个WE ＃脉冲，而命令（ 30H ）被锁存，

第六WE ＃脉冲的上升沿。内部擦除

第六WE ＃脉冲后开始工作。年底

擦除就可以利用数据＃查询或确定

翻转位的方法。参见图8的时序波形。

扇区擦除操作期间写入的任何命令

化都将被忽略。

芯片擦除操作

该SST39SF020设备提供了全片擦除操作

化，从而允许用户将擦除整个存储器

阵列到“1”的状态。这是有用的，当整个

设备必须快速擦除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

字节与软件数据保护指令序列

芯片擦除命令（ 10H ），在地址5555H

最后一个字节序列。擦除操作开始与

第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准

第一。在擦除操作，唯一有效的读操作

翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令

序列，图9为时序图，图17为

的流程图。在芯片中写入任何命令

擦除操作将被忽略。

写操作状态检测

该SST39SF020器件提供两种软件方法

检测完成写（编程或擦除）的

周期中，为了优化系统写周期时间。

软件检测包含两个状态位：数据＃

投票（ DQ

），并触发位（ DQ

）。写的结尾

检测模式后的WE＃上升沿启用

启动内部编程或擦除周期。

非易失性写操作的实际完成是异步的

异步的与系统;因此，无论是数据＃

查询或翻转位的读可以是同时与

在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统

可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以

看来无论是与DQ发生冲突

或者DQ

。为了

防止杂散抑制，如果错误的结果发生，

软件程序应包括循环读取

访问的位置的附加两（2）倍。如果两个

读数都是有效的，则该设备已完成写

周期，否则拒绝是有效的。

数据＃投票（ DQ

)

当SST39SF020装置是在内部编程

操作中，任何尝试读取DQ

将产生的

配合真实的数据。一旦程序操作

化完成后， DQ

将产生真正的数据。该装置

然后准备好用于下一操作。在内部擦除

操作中，任何尝试读取DQ7将产生一个'0'。

一旦内部擦除操作完成后， DQ7将

产生一个'1'。该数据＃查询后上涨有效

第四WE ＃（或CE ＃）沿脉冲的程序操作

化。对于部门或芯片擦除，数据＃投票是有效的

经过6个WE＃（或CE ＃）脉冲的上升沿。看

图6为数据＃查询时序图，图15

为一个流程图。

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