16兆位多用途闪存+
SST39WF1601 / SST39WF1602
初步规格
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39WF1601 / 1602顷提供两个48球TFBGA
和48球WFBGA包。参见图2和3为
引脚分配。
字编程操作
该SST39WF1601 / 1602顷编程在字逐
字的基础。在编程之前，扇区所在的
词的存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
第一步是加载的字地址，字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在40完成
微秒。参见图5和图6为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图20为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。在命令序列期间， WP ＃
应静态地保持高或低。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39WF1601 / 1602也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为9 mA至有效的读电流
一般为5 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
到2毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该设备不进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳定保持低电平，
直到第一次地址变换或CE ＃驱动为高电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39WF1601 / 1602报价既具有部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个6字节的启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。该块 -
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
用块擦除命令（ 50H ）和命令序列
块地址（ BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图10和11为
时序波形和图24的流程图。任何
该部门或块擦除操作期间发出的命令
ATION被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
该SST39WF1601的读操作/ 1602 CON-
通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的系
统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE＃为高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，并从所述输出用于门控数据
销。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图4）。
©2006硅存储技术公司
S71297-01-000
7/06
2
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
