16兆位多用途闪存+
SST39WF1601 / SST39WF1602
初步规格
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
写操作状态检测
该SST39WF1601 / 1602提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
芯片擦除操作
该SST39WF1601 / 1602提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表6 ，图10为时序
荷兰国际集团图，图24为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会
被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39WF1601 / 1602顷在内部亲
克操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序运行
完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图7为
数据＃查询时序图和图21的流程图。
©2006硅存储技术公司
S71297-01-000
7/06
3
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
