512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
TRC
地址AMS- 0
TAA
CE#
TCE
OE #
VIH
WE#
TOLZ
TOE
tOHZ
TCHZ
高-Z
数据有效
395 ILL F03.0
DQ7-0
高-Z
TCLZ
TOH
数据有效
注意:
AMS =最显著地址
AMS = A15的SST39LF / VF512 , A16为SST39LF / VF010 ,
A17的SST39LF / VF020和A18的SST39LF / VF040
图4中,R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
内部程序操作开始
TBP
地址AMS- 0
5555
TAH
TWP
WE#
TAS
OE #
总胆固醇
CE#
TCS
DQ7-0
AA
SW0
注意:
55
SW1
A0
SW2
数据
字节
(地址/数据)
395 ILL F04.0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWPH
TDS
AMS =最显著地址
AMS = A15的SST39LF / VF512 , A16为SST39LF / VF010 ,
A17的SST39LF / VF020和A18的SST39LF / VF040
图5 : WE# ç
ONTROLLED
P
ROGRAM
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
©2001硅存储技术公司
S71150-03-000 6/01
395
10