512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
AC特性
表9 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 3.0-3.6V
为
SST39LF512/010/020/040
SST39LF512-45
SST39LF010-45
SST39LF020-45
SST39LF040-45
符号参数
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
和
2.7-3.6V
为
SST39VF512/010/020/040
SST39VF512-70
SST39VF010-70
SST39VF020-70
SST39VF040-70
民
70
55
55
30
70
70
35
0
0
15
15
25
25
0
0
0
0
30
30
最大
SST39VF512-90
SST39VF010-90
SST39VF020-90
SST39VF040-90
民
90
90
90
45
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T9.2 395
SST39LF020-55
SST39LF040-55
民
55
最大
民
45
最大
45
45
30
0
0
15
15
0
0
0
0
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 ：P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH
T
CPH
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
SCE
1
参数
字节编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE＃和CE ＃建立时间
WE＃和CE ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
CE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
CE＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
芯片擦除
民
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
40
0
最大
20
单位
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
150
25
100
ns
ms
ms
T10.1 395
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
©2001硅存储技术公司
S71150-03-000 6/01
395
9
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
