512千位/ 1兆位多用途闪存
SST39SF512 / SST39SF010
数据表
AC特性
表9 :v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 5.0V±10%
SST39SF512/010-70
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ
T
OH1
1
SST39SF512/010-90
民
90
最大
90
90
45
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
0
ns
ns
ns
T9.2 394
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE#低电平至输出
OE #低到有源输出
CE#高到高阻输出
OE #高到高阻输出
从地址变更输出保持
民
70
最大
70
70
35
0
0
25
25
0
T
OHZ1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 :P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH
T
SE
T
SCE
参数
字节编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE#和CE #建立时间
WE#和CE #保持时间
OE #高的建立时间
OE #高保持时间
CE#脉冲宽度
WE#脉冲宽度
WE#脉冲宽高
CE#脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
芯片擦除
民
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
最大
20
单位
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T
IDA1
150
10
20
ns
ms
ms
T10.0 394
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
©2001硅存储技术公司
S71149-03-000 4/01
394
9