1兆位串行闪存
SST45LF010
SST45LF0101Mb 4线串行接口闪存
数据表
产品特点：
单3.0-3.6V读写操作
串行接口架构
字节串行读与单个命令
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•部门或芯片擦除功能
- 统一4K字节扇区
•快速擦除和字节编程
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
•
•
•
•
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 软件状态
• 10 MHz的最大时钟频率
•硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 重置设备待机模式
• CMOS I / O兼容性
•硬件数据保护（ WP ＃ ）
- 保护和写入取消保护器件
手术
•封装
- 8引脚SOIC （ 4.9毫米x 6mm的）
- 8触点WSON
产品说明
该SST45LF010是1兆位串行闪存制造
捕获的原始图像与SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。在1兆比特的存储器组织
32个行业的4096个字节。闪速存储器使用4-
线串行接口和芯片使能选择和
顺序地访问其数据。串行接口由
的;串行数据输入（SI ），串行数据输出（SO ），串行时钟
（SCK ）和芯片使能（CE ＃）。一个写保护（ WP ＃ ） inhib-
其从写操作和硬件的整个存储器
复位引脚（ RST ＃ ）复位器件进入待机模式。
该SST45LF010器件采用8引脚SOIC
和8触点WSON封装。参见图2引脚
分配。
读
读操作从ini-输出该数据，以便
TiAl基访问地址。虽然SCK输入时，地址将
自动递增，直到地址结束（上）
空间（ 1FFFFH ），则内部地址指针自动
matically递增到地址的开始（下）
空间（ 00000H ） ，和数据输出流将继续下去。该
读出的数据流是通过所有地址，直到连续
由低到CE ＃高转换终止。
部门/芯片擦除操作
扇区擦除操作将清除所选的所有位
部门FFH 。芯片擦除指令将清除所有位
该设备为FFH。
设备操作
该SST45LF010使用每个8位的COM总线周期
mands ，数据和地址，以执行操作。该
操作说明，列于表3中。
所有的指令都是同步掀起了由高到低的转变
的CE＃ 。第一个从低到高的转变在SCK将启动
的指令序列。输入将在利培接受
荷兰国际集团SCK的边缘起与最显著位。任何
低输入指令之前高过渡的CE ＃
公司完成将终止正在进行的任何指令，并
该设备返回到待机模式。
字节编程操作
字节编程操作方案中的位
选择字节到期望的数据。所选字节必须
处于已擦除状态（ FFH），启动一个程序时
操作。该数据是从第7位输入到第0位中的顺序。
软件运行状态
状态操作确定擦除或编程
操作正在进行中。如果第0位为“0”擦除或亲
克操作过程中，该设备正忙。如果位0
在一个“1”的设备已准备好为任何有效的操作。该台站
土族读是连续的，持续的时钟周期直到termi-
由低到CE ＃高经过NAT转换。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
© 2003硅存储技术公司
S71128-04-000 3/03
372
1
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
