N沟道增强型MOSFET
ST2342
5.0A
描述
ST2342是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,其
采用高密度, DMOS沟槽技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理,其它电池供电的电路,并且低线的功率
需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23-3L
特征
20V / 4.8A ,R
DS ( ON)
= 26mΩ (典型值)。
@V
GS
= 4.5V
20V / 4.5A ,R
DS ( ON)
= 28mΩ
@V
GS
= 2.5V
20V / 4.0A ,R
DS ( ON)
= 36mΩ
@V
GS
= 1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23-3L
3
42YA
1
Y:年份代码
2
答:处理代码
订购信息
产品型号
ST2342S23RG
包
SOT-23L
最热
42YA
※
过程代码: A〜Z ; A〜Z
※
ST2342S23RG
S23 : SOT- 3L23 ; R:带卷轴; G:铅 - 免费
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
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ST2342 2006 V1