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ST2342 参数 Datasheet PDF下载

ST2342图片预览
型号: ST2342
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 295 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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N沟道增强型MOSFET
ST2342
5.0A
电气特性
( TA = 25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
最小典型最大单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
= VGS ,我
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55
V
DS
5V,V
GS
=4.5V
V
GS
=4.5V,I
D
=5.0A
V
GS
=2.5V,I
D
=4.5A
V
GS
=1.8V,I
D
=4.0A
V
DS
=15V,I
D
=4.8A
I
S
=1.0A,V
GS
=0V
20
0.4
1.0
±
100
1
10
6
0.026
0.028
0.036
V
V
nA
uA
A
Ω
S
30
0.8
1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
tr
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
I
D
4.8A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=10V
R
L
=10
Ω
I
D
=1.0A
V
=4.5V
R
G
=6
Ω
10
1.4
2.1
600
120
100
15
40
45
30
13
nC
pF
25
60
65
40
nS
t
D(关闭)
tf
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
ST2342 2006 V1