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STN4480 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STN4480
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内容描述: STN4480是采用高密度, DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN4480 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 742 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STN4480
N沟道增强型MOSFET
14.0A
ABSOULTE最大额定值
( TA = 25
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(TJ=150
)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻,结到环境
TA=25℃
TA=70
TA=25℃
TA=70
符号
VDSS
VGSS
ID
典型
40
±20
14.0
10.0
70
4.0
3.1
2.0
150
-55/150
59
单位
V
V
A
A
A
W
/W
IDM
IS
PD
TJ
TSTG
RΘJA
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STN4480 2010 V1