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    STN4480 参数 Datasheet PDF下载

    STN4480图片预览
    型号： STN4480
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： STN4480是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN4480 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 742 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号STN4480的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STN4480的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STN4480的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STN4480的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STN4480的Datasheet PDF文件第6页  
    STN4480
    N沟道增强型MOSFET
    14.0A
    电气特性
    （ TA = 25 ° ，除非另有说明）
    参数
    符号
    条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    STATIC
    漏源
    击穿电压
    栅极阈值
    电压
    栅极漏电流
    零栅极电压
    漏电流
    漏源开 -
    阻力
    前锋
    跨
    二极管的正向电压
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向
    TransferCapacitance
    开启时间
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    tr
    t
    D（关闭）
    tf
    V
    DS
    =20V,VGS=0V
    F=1MHz
    V
    DS
    =20V,V
    GS
    =10V
    I
    D
    ≡14A
    22
    10.5
    4.8
    1600
    320
    102
    3.5
    V
    DS
    =20V, V
    GS
    =10V
    R
    L
    = 1.5
    I
    D
    =5.0A,V
    根
    =3
    6
    13.2
    3.5
    nS
    pF
    nC
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    V
    GS
    =0V,ID=250uA
    V
    DS
    =V
    GS
    ,ID=250uA
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±20V
    V
    DS
    =32V,V
    GS
    =0V
    I
    DSS
    V
    DS
    =32V,V
    GS
    =0V
    T
    J
    =55℃
    V
    GS
    =10V,I
    D
    =14A
    V
    GS
    =4.5V,I
    D
    =8A
    V
    DS
    =15V,I
    D
    =6.2AV
    I
    S
    =2.3A,V
    GS
    =0V
    13
    15
    50
    1.0
    40
    1.0
    3.0
    ±100
    V
    V
    nA
    1
    5
    15.5
    18.0
    uA
    m
    S
    V
    R
    DS （ ON）
    政府飞行服务队
    V
    SD
    打开-O FF时间
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    www.stansontech.com
    ©2007 ， Stanson公司
    STN4480 2010 V1

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