M25P40
读状态寄存器（ RDSR ）
读状态寄存器（ RDSR ）指令AL-
低位状态寄存器进行读取。状态
寄存器可以随时读取，甚至在一
编程，擦除或写状态寄存器周期中
进展情况。当这些周期中的一个过程中，
建议检查写在进步
发送新指令的前（ WIP ）位
装置。另外，也可以对读出的状态稳压
连续存器，如图
表5.状态寄存器的格式
b7
SRWD
0
0
BP2
BP1
BP0
WEL
b0
WIP
状态寄存器
写保护
块保护位
写使能锁存位
写正在进行位
的状态寄存器的状态和控制位
如下：
WIP位。
写在制品（WIP ）位指示
内存是否忙于写状态
注册，编程或擦除周期。当设置为1 ，
这样的循环过程中，复位为0时，不
这样周期正在进行中。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL ）位indi-
凯茨内部写状态使能锁存器。
当设置为1 ，内部写使能锁存器
设置，当设置为0时，内部写使能锁存
复位，并没有写状态寄存器，程序或
擦除指令被接受。
BP2 ， BP1 ， BP0位。
块保护（ BP2 ，
BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。它们定义
该区域的大小可以软件保护，以防止
编程和擦除指令。这些位
写的写状态寄存器（ WRSR ） IN-
梁支。当一个或两个块的保护
（ BP2 ，BP1，BP0 ）位被设置为1 ，则相应的MEM
储器区域（定义
成为保护─
对页编程（ PP）和扇区擦除版
（ SE ）指令。块保护（ BP2 ， BP1 ，
BP0 ）位可以被写入提供的硬
器保护模式没有被设置。大头
擦除（BE ）指令时，当且仅当执行
这两个块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位为0 。
SRWD位。
状态寄存器写禁止
（ SRWD ）位被设置在与配合操作
写保护（ W）信号。状态寄存器
写禁止（ SRWD ）位和写保护（ W）
信号允许该设备被放置在硬件
保护模式（当状态寄存器写入
禁止（ SRWD ）位设置为1 ，和写保护
（ W）驱动低） 。在这种模式下，所述非易失性
的状态寄存器（ SRWD ， BP2 ， BP1位，
BP0 ）变为只读位和写状态
寄存器（ WRSR ）指令不再接受
用于执行。
图10.读状态寄存器（ RDSR）指令序列和数据输出序列
S
0
C
指令
D
状态寄存器输出
高阻抗
Q
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
7
最高位
AI02031E
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
状态寄存器输出
6
5
4
3
2
1
0
7
15/40
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
