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IRF40N03 参数 Datasheet PDF下载

IRF40N03图片预览
型号: IRF40N03
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内容描述: N沟道功率MOSFET [N-CHANNEL Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 75 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
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IRF40N03
N-C
HANNEL
功秏
OSFET
应用
快速开关
简单的驱动要求
低栅电荷
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
马克斯。
..17.0m
I
D
40A
特点
低导通电阻
低栅电荷
峰值电流与脉冲宽度曲线
电感式开关曲线
引脚配置
TO-220
符号
D
前视图
来源
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
等级
漏源极电压(注1 )
漏电流
连续锝= 25
, V
GS
@10V
连续锝= 100 ,V
GS
@10V
脉冲TC = 25 ,V
GS
@ 10V (注2)
栅极 - 源极电压
总功耗
降额超过25因素
峰值二极管恢复的dv / dt (注3 )
工作结存储温度范围
单脉冲雪崩能量L = 144
µ
H,I
D
= 40安培
最大的铅焊接温度的目的
最大包主体,持续10秒
脉冲雪崩额定值
dv / dt的
T
J
, T
英镑
E
AS
T
L
T
PKG
I
AS
CONTINUE
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
V
GS
P
D
价值
30
40
30
170
±20
.50
0.4
4.5
-55至175
500
300
260
60
A
mJ
V
W
W/
V / ns的
单位
V
A
热阻
符号
R
R
JC
参数
结到外壳
结到环境
典型值
最大
2.5
62
单位
JA
/W
测试条件
水冷散热器,P
D
调整后的峰值结
的175下
1立方英尺室,自由的空气
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