IRF40N03
P
OWER
MOSFET
典型电气特性
40
35
V
的s
=10,9,8,7,6,5V
40
25 C
30
I
D
，排水光凭目前Ç （A ）
30
25
20
15
10
5
V
的s
=4V
I
D
，排水光凭目前Ç （A ）
T J = 125℃
20
10
-55 C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
˚F igure 1输出C haracteris抽动
3600
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
1.3
R
DS （ ON）
归一化
漏-S环境允许，在-R es是tance
V
的s
=10V
1.2
T J = 125℃
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
25 C
-55 C
3000
C，C apacitance （PF ）
2400
1800
C为S
1200
600
0
0
5
10
15
20
25
30
Ç OS s
Ç RS s
6
0
10
20
30
40
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
I
D
，排水光凭目前Ç （A ）
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
˚F igure 3. Ç apacitance
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
Ç排水光凭目前与温度
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
ID=250uA
0
25
50
75 100 125 150
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
60
V
DS
=10V
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
40
g
F小号
，T失败者电导（ S）
50
是，S环境允许的漏电流（ A）
0
5
10
15
20
40
30
20
10
0
10
1.0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前ç （A ）
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
V
S.D。
，B ODY二极管˚F orward V oltage （ V）
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
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